METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20120276702A1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权

标题翻译：制造半导体器件的方法

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专利标题： METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
申请号： US13456392

申请日： 2012-04-26
公开(公告)号： US20120276702A1

公开(公告)日： 2012-11-01
发明人: Jun-kyu YANG , Phil-ouk Nam , Ki-hyun Hwang , Jae-young Ahn , Han-mei Choi , Bi-o Kim
申请人： Jun-kyu YANG , Phil-ouk Nam , Ki-hyun Hwang , Jae-young Ahn , Han-mei Choi , Bi-o Kim
优先权： KR10-2011-0039721 20110427
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/20

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要：

A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a channel region, forming a buffer layer on the channel region, and heat-treating the channel region by using a gas containing halogen atoms.

摘要（中）：

制造半导体器件的方法包括形成通道区域，在沟道区域上形成缓冲层，并且通过使用含有卤素原子的气体来热处理沟道区域。

公开/授权文献

US08617947B2 Method of manufacturing semiconductor device 公开/授权日：2013-12-31

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的