发明申请
- 专利标题： METAL BARRIER-DOPED METAL CONTACT LAYER
- 专利标题（中）： 金属阻隔金属接触层
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申请号： US13615128申请日： 2012-09-13
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公开(公告)号： US20130005075A1公开(公告)日： 2013-01-03
- 发明人: Long Chen , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
- 申请人： Long Chen , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18
摘要：
A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.
公开/授权文献
- US08987587B2 Metal barrier-doped metal contact layer 公开/授权日：2015-03-24
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IPC分类:
