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公开(公告)号：US20090194166A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：US12262424
申请日：2008-10-31
申请人： Rick C. Powell , Upali Jayamaha , Anke Abken , Markus Gloeckler , Akhlesh Gupta , Roger T. Green , Peter Meyers
发明人： Rick C. Powell , Upali Jayamaha , Anke Abken , Markus Gloeckler , Akhlesh Gupta , Roger T. Green , Peter Meyers
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/073 , H01L31/022466 , H01L31/02963 , H01L31/03042 , H01L31/1828 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic cell can include a dopant in contact with a semiconductor layer.
摘要翻译： 光伏电池可以包括与半导体层接触的掺杂剂。
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公开(公告)号：US08987587B2
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：US13615128
申请日：2012-09-13
申请人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
发明人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
IPC分类号： H01L31/00 , H01L21/00 , H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.
摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体吸收层相邻的本征金属层; 以及与本征金属层相邻的掺杂金属接触层，其中掺杂金属接触层包括金属基材和掺杂剂。
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公开(公告)号：US20100326491A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：US12793456
申请日：2010-06-03
申请人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
发明人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0236 , H01L31/0296 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548
摘要： A photovoltaic device can include a doped contact layer adjacent to a semiconductor absorber layer, where the doped contact layer includes a metal base material and a dopant.
摘要翻译： 光伏器件可以包括与半导体吸收层相邻的掺杂接触层，其中掺杂接触层包括金属基底材料和掺杂剂。
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公开(公告)号：US20100307568A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：US12793469
申请日：2010-06-03
申请人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
发明人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
IPC分类号： H01L31/0203 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.
摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体吸收层相邻的本征金属层; 以及与本征金属层相邻的掺杂金属接触层，其中掺杂金属接触层包括金属基材和掺杂剂。
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公开(公告)号：US20130005075A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：US13615128
申请日：2012-09-13
申请人： Long Chen , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
发明人： Long Chen , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.
摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体吸收层相邻的本征金属层; 以及与本征金属层相邻的掺杂金属接触层，其中掺杂金属接触层包括金属基材和掺杂剂。
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公开(公告)号：US20110136294A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：US13022294
申请日：2011-02-07
申请人： David Eaglesham , Anke Abken
发明人： David Eaglesham , Anke Abken
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/073 , H01L31/0749 , H01L31/1836 , H01L31/1868 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： A method of manufacturing a thin film photovoltaic device includes depositing a first compound semiconductor layer on a substrate and exposing the device to plasma, the plasma treating the layer.
摘要翻译： 制造薄膜光伏器件的方法包括在衬底上沉积第一化合物半导体层并使器件暴露于等离子体，等离子体处理该层。
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公开(公告)号：US20100307561A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：US12793461
申请日：2010-06-03
申请人： Benyamin Buller , Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken
发明人： Benyamin Buller , Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0256 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic device can include a second metal layer adjacent to a first layer, where the first layer is positioned adjacent to a substrate, and where the second metal layer includes a dopant; and a copper-indium-gallium diselenide (CIGS) layer adjacent to the second metal layer.
摘要翻译： 光伏器件可以包括与第一层相邻的第二金属层，其中第一层邻近衬底定位，并且其中第二金属层包括掺杂剂; 和与第二金属层相邻的铜铟镓二硒化物（CIGS）层。
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公开(公告)号：US20100212731A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：US12708282
申请日：2010-02-18
申请人： Anke Abken
发明人： Anke Abken
CPC分类号： H01L31/1836 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02581 , H01L31/022475 , H01L31/02963 , H01L31/0336 , H01L31/073 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic cell can include a substrate having a copper-doped semiconductor layer. The doping can be mediated with a salt.
摘要翻译： 光伏电池可以包括具有铜掺杂半导体层的衬底。 掺杂可以用盐介导。
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公开(公告)号：US09263608B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：US12262424
申请日：2008-10-31
申请人： Rick C. Powell , Upali Jayamaha , Anke Abken , Markus Gloeckler , Akhlesh Gupta , Roger T. Green , Peter Meyers
发明人： Rick C. Powell , Upali Jayamaha , Anke Abken , Markus Gloeckler , Akhlesh Gupta , Roger T. Green , Peter Meyers
IPC分类号： H01L31/00 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/073 , H01L31/022466 , H01L31/02963 , H01L31/03042 , H01L31/1828 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： A photovoltaic cell can include a dopant in contact with a semiconductor layer.
摘要翻译： 光伏电池可以包括与半导体层接触的掺杂剂。
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公开(公告)号：US08766088B2
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：US12793456
申请日：2010-06-03
申请人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
发明人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0296
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0236 , H01L31/0296 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548
摘要： A photovoltaic device can include a doped contact layer adjacent to a semiconductor absorber layer, where the doped contact layer includes a metal base material and a dopant.
摘要翻译： 光伏器件可以包括与半导体吸收层相邻的掺杂接触层，其中掺杂接触层包括金属基底材料和掺杂剂。
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