发明申请
- 专利标题： NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）： 氮化物半导体器件及其制造方法
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申请号： US13771411申请日： 2013-02-20
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公开(公告)号： US20140061587A1公开(公告)日： 2014-03-06
- 发明人: Moon-sang LEE , Sung-soo PARK , Dae-ho YOON
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 申请人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 优先权： KR10-2012-0098485 20120905
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/12
摘要：
A nitride semiconductor device includes a dislocation control layer on a substrate, and a nitride semiconductor layer on the dislocation control layer. The dislocation control layer includes a nanocomposite of a first nanoparticle made of a first material and at least one second nanoparticle made of a second material.
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