公开(公告)号：US20150115280A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：US14590548

申请日：2015-01-06

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Sung-soo PARK ,  Moon-sang LEE

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/32 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24

摘要： Methods of growing nitride semiconductor layers including forming nitride semiconductor dots on a substrate and growing a nitride semiconductor layer on the nitride semiconductor dots. The nitride semiconductor layer may be separated from the substrate to be used as a nitride semiconductor substrate.

摘要翻译： 生长氮化物半导体层的方法包括在衬底上形成氮化物半导体点并在氮化物半导体点上生长氮化物半导体层。 氮化物半导体层可以与用作氮化物半导体衬底的衬底分离。

公开(公告)号：US20140073115A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13743634

申请日：2013-01-17

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Moon-sang LEE ,  Sung-soo PARK ,  Young-soo PARK

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02263 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642

摘要： A method of manufacturing a large area gallium nitride (GaN) substrate includes forming a buffer layer on a silicon substrate, forming an insulation layer pattern on a rim of a top surface of the buffer layer, growing a GaN layer on the buffer layer, and removing the insulation layer pattern and a portion of the GaN layer and the silicon substrate.

摘要翻译： 制造大面积氮化镓（GaN）衬底的方法包括在硅衬底上形成缓冲层，在缓冲层顶表面的边缘上形成绝缘层图案，在缓冲层上生长GaN层，以及 去除绝缘层图案和GaN层和硅衬底的一部分。

公开(公告)号：US20150099348A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：US14505181

申请日：2014-10-02

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Moon-sang LEE ,  Sung-soo PARK

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265

摘要： A method of growing a nitride semiconductor layer includes forming a plurality of nano-structures on a substrate, forming a first buffer layer on the substrate such that upper portions of each of the nano-structures are exposed, removing the nano-structures to form voids in the first buffer layer, and growing a nitride semiconductor layer on the first buffer layer including the voids.

摘要翻译： 生长氮化物半导体层的方法包括在衬底上形成多个纳米结构，在衬底上形成第一缓冲层，使得每个纳米结构的上部被暴露，去除纳米结构以形成空隙 在第一缓冲层中，并且在包括空隙的第一缓冲层上生长氮化物半导体层。

公开(公告)号：US20140061587A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13771411

申请日：2013-02-20

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Moon-sang LEE ,  Sung-soo PARK ,  Dae-ho YOON

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0684 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A nitride semiconductor device includes a dislocation control layer on a substrate, and a nitride semiconductor layer on the dislocation control layer. The dislocation control layer includes a nanocomposite of a first nanoparticle made of a first material and at least one second nanoparticle made of a second material.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括在衬底上的位错控制层和位错控制层上的氮化物半导体层。 位错控制层包括由第一材料制成的第一纳米颗粒和由第二材料制成的至少一个第二纳米颗粒的纳米复合材料。

公开(公告)号：US20130175541A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13733632

申请日：2013-01-03

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Sung-soo PARK ,  Moon-sang LEE ,  Young-soo PARK

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/2003

摘要： A method of growing a nitride semiconductor layer may include preparing a substrate in a reactor, growing a first nitride semiconductor on the substrate at a first temperature, the first nitride semiconductor having a thermal expansion coefficient different from a thermal expansion coefficient of the substrate, and removing the substrate at a second temperature.

摘要翻译： 生长氮化物半导体层的方法可以包括在反应器中制备衬底，在第一温度下在衬底上生长第一氮化物半导体，第一氮化物半导体具有不同于衬底的热膨胀系数的热膨胀系数，以及 在第二温度下去除衬底。