公开(公告)号：US20140061587A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13771411

申请日：2013-02-20

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Moon-sang LEE ,  Sung-soo PARK ,  Dae-ho YOON

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0684 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A nitride semiconductor device includes a dislocation control layer on a substrate, and a nitride semiconductor layer on the dislocation control layer. The dislocation control layer includes a nanocomposite of a first nanoparticle made of a first material and at least one second nanoparticle made of a second material.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括在衬底上的位错控制层和位错控制层上的氮化物半导体层。 位错控制层包括由第一材料制成的第一纳米颗粒和由第二材料制成的至少一个第二纳米颗粒的纳米复合材料。