发明申请
- 专利标题： Si-CONTAINING FILM FORMING PRECURSORS AND METHODS OF USING THE SAME
- 专利标题（中）： 含Si的成膜片及其使用方法
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申请号： US14738039申请日： 2015-06-12
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公开(公告)号： US20150376211A1公开(公告)日： 2015-12-31
- 发明人: Jean-Marc GIRARD , Peng ZHANG , Antonio SANCHEZ , Manish KHANDELWAL , Gennadiy ITOV , Reno PESARESI
- 申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 主分类号： C07F7/02
- IPC分类号： C07F7/02 ; C23C16/455 ; C23C16/50 ; C01B21/088 ; C01B21/087
摘要：
Mono-substituted TSA precursor Si-containing film forming compositions are disclosed. The precursors have the formula: (SiH3)2N—SiH2—X, wherein X is selected from a halogen atom; an isocyanato group; an amino group; an N-containing C4-C10 saturated or unsaturated heterocycle; or an alkoxy group. Methods for forming the Si-containing film using the disclosed mono-substituted TSA precursor are also disclosed.
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