METHOD OF FORMING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20160099174A1 METHOD OF FORMING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权

标题翻译：形成半导体器件的互连结构的方法

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专利标题： METHOD OF FORMING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 形成半导体器件的互连结构的方法
申请号： US14504067

申请日： 2014-10-01
公开(公告)号： US20160099174A1

公开(公告)日： 2016-04-07
发明人: Yung-Hsu Wu , Cheng- Hsiung Tsai , Yu-Sheng Chang , Chia-Tien Wu , Chung-Ju Lee , Yung-Sung Yen , Chun-Kuang Chen , Tien-I Bao , Ru-Gun Liu , Shau-Lin Shue
申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
主分类号： H01L21/768
IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/02 ; H01L21/311

METHOD OF FORMING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要：

Methods of semiconductor device fabrication are provided including those that provide a substrate having a plurality of trenches disposed in a dielectric layer formed above the substrate. A via pattern including a plurality of openings may be defined above the substrate. A spacer material layer is formed on a sidewall at least one trench. Via holes can be etched in the dielectric layer using the via pattern and spacer material layer as a masking element.

摘要（中）：

提供了半导体器件制造方法，其包括提供具有设置在形成在衬底上方的电介质层中的多个沟槽的衬底的方法。可以在衬底上限定包括多个开口的通孔图案。在侧壁上形成间隔材料层至少一个沟槽。可以使用通孔图案和间隔材料层作为掩模元件在电介质层中蚀刻通孔。

公开/授权文献

US09431297B2 Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device 公开/授权日：2016-08-30

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流