SEMICONDUCTOR DEVICES

Invention Application

US20160365440A1 SEMICONDUCTOR DEVICES 有权

Title translation: 半导体器件

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Patent Title: SEMICONDUCTOR DEVICES
Patent Title (中): 半导体器件
Application No.: US15172851

Application Date: 2016-06-03
Publication No.: US20160365440A1

Publication Date: 2016-12-15
Inventor: SUNG-DAE SUK , SUNHOM STEVE PAAK , YEON-HO PARK , DONG-HO CHA
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Priority: KR10-2015-0081701 20150610
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L29/66 ; H01L29/423 ; H01L29/417 ; H01L29/786 ; H01L29/06

Abstract:

Semiconductor devices are provided. A semiconductor device includes a channel. The semiconductor device includes a gate structure having first and second portions. The channel is between the first and second portions of the gate structure. A contact structure is adjacent a portion of a side surface of the channel. Related methods of forming semiconductor devices are also provided.

Abstract(Chinese):

提供半导体器件。半导体器件包括沟道。半导体器件包括具有第一和第二部分的栅极结构。通道位于栅极结构的第一和第二部分之间。接触结构邻近通道侧表面的一部分。还提供了形成半导体器件的相关方法。

Public/Granted literature

US09991387B2 Semiconductor devices Public/Granted day:2018-06-05

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Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的