- 专利标题： RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
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申请号： US15666731申请日： 2017-08-02
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公开(公告)号： US20180039173A1公开(公告)日： 2018-02-08
- 发明人: Jun Hatakeyama , Masaki Ohashi
- 申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2016-155516 20160808
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/038 ; G03F7/16 ; C08F224/00 ; G03F7/38 ; G03F7/32 ; C08F220/28 ; C08F220/18 ; G03F7/039 ; G03F7/20
摘要：
A resist composition comprising a base polymer and a sulfonium or iodonium salt of iodinated phenoxy or iodinated phenylalkoxy-containing fluorinated sulfonic acid offers a high sensitivity and minimal LWR or improved CDU independent of whether it is of positive or negative tone.
公开/授权文献
- US10101653B2 Resist composition and patterning process 公开/授权日：2018-10-16
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