- 专利标题： NITRIDE SEMICONDUCTOR, WAFER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR
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申请号： US17305470申请日： 2021-07-08
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公开(公告)号： US20220190119A1公开(公告)日： 2022-06-16
- 发明人: Toshiki HIKOSAKA , Hajime NAGO , Jumpei TAJIMA , Shinya NUNOUE
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2020-205601 20201211
- 主分类号： H01L29/20
- IPC分类号： H01L29/20 ; H01L21/02 ; H01L29/15 ; H01L29/207 ; H01L29/36 ; H01L29/778
摘要：
According to one embodiment, a nitride semiconductor includes a nitride member. The nitride member includes a first nitride region including Alx1Ga1-x1N (0
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