- 专利标题： HIGH RUGGEDNESS HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)
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申请号： US18438442申请日： 2024-02-10
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公开(公告)号： US20240222477A1公开(公告)日： 2024-07-04
- 发明人: Chao-Hsing HUANG , Yu-Chung CHIN , Kai-Yu CHEN
- 申请人： VISUAL PHOTONICS EPITAXY CO., LTD.
- 申请人地址： TW Taoyuan City
- 专利权人： VISUAL PHOTONICS EPITAXY CO., LTD.
- 当前专利权人： VISUAL PHOTONICS EPITAXY CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Taoyuan City
- 优先权： TW 9101244 2020.01.14
- 分案原申请号： US17148709 2021.01.14
- 主分类号： H01L29/737
- IPC分类号： H01L29/737 ; H01L23/66 ; H01L29/08 ; H01L29/205 ; H03F3/19 ; H03F3/21
摘要：
Provided is a high ruggedness heterojunction bipolar transistor (HBT), including a substrate, a sub-collector layer, collector layer, a base layer, and an emitter layer. The collector layer includes a InGaP layer or a wide bandgap layer. The collector layer includes III-V semiconductor material. The bandgap of the wide bandgap layer is greater than that of GaAs.
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