- 专利标题： METHODS OF FORMING A TEMPERATURE COMPENSATED DIELECTRIC MATERIAL
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申请号： US18586312申请日： 2024-02-23
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公开(公告)号： US20240351955A1公开(公告)日： 2024-10-24
- 发明人: Michael David Hill
- 申请人： Skyworks Solutions, Inc.
- 申请人地址： US CA Irvine
- 专利权人： Skyworks Solutions, Inc.
- 当前专利权人： Skyworks Solutions, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Irvine
- 分案原申请号： US17696114 2022.03.16
- 主分类号： C04B35/626
- IPC分类号： C04B35/626 ; C01B13/14 ; C01G23/00 ; C01G33/00 ; C04B35/462 ; C04B35/468 ; C04B35/499 ; H01B3/12
摘要：
Disclosed are methods of forming a dielectric material. One method comprises modifying a tungsten bronze crystal structure by substituting one or more lattice sites with one or more elements selected to increase a quality factor (Q) of the dielectric material.
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