发明授权
- 专利标题： Double base diode memory
- 专利标题（中）： 双基极二极管存储器
-
申请号： US52663055申请日： 1955-08-05
-
公开(公告)号： US2907000A公开(公告)日： 1959-09-29
- 发明人: LAWRENCE JR JOSEPH D
- 申请人： SPERRY RAND CORP
- 专利权人： Sperry Rand Corp
- 当前专利权人： Sperry Rand Corp
- 优先权： US52663055 1955-08-05
- 主分类号： G11C11/39
- IPC分类号： G11C11/39
信息查询
