发明授权
- 专利标题： Method of producing homogeneously doped n-type Si monocrystals and adjusting dopant concentration therein by thermal neutron radiation
- 专利标题（中）： 制造均匀掺杂的n型Si单晶并通过热中子辐射调节掺杂剂浓度的方法
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申请号： US530347申请日： 1974-12-06
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公开(公告)号： US4027051A公开(公告)日： 1977-05-31
- 发明人: Konrad Reuschel , Manfred Schnoeller , Alfred Muehlbauer , Eberhard Spenke , Wolfgang Keller
- 申请人： Konrad Reuschel , Manfred Schnoeller , Alfred Muehlbauer , Eberhard Spenke , Wolfgang Keller
- 申请人地址： DT Berlin & Munich
- 专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
- 当前专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
- 当前专利权人地址： DT Berlin & Munich
- 优先权： DT2362264 19731214
- 主分类号： C30B31/20
- IPC分类号： C30B31/20 ; G21G1/06 ; H01L21/261 ; B05D3/06
摘要：
Homogeneously doped Si monocrystals of the n-type are produced from p- or n-type Si crystals having a random dopant concentration in radial and axial directions of the crystal and the dopant concentration within such crystals is adjusted by subjecting such crystals to controlled thermal neutron radiation.
公开/授权文献
- US4526019A Yarn feed mechanism 公开/授权日：1985-07-02
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