发明授权
- 专利标题： Method of manufacturing a semi-insulating silicon layer
- 专利标题（中）： 制造半绝缘硅层的方法
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申请号： US678417申请日： 1976-04-19
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公开(公告)号： US4081292A公开(公告)日： 1978-03-28
- 发明人: Teruaki Aoki , Takeshi Matsushita , Tadayoshi Mifune , Motoaki Abe
- 申请人： Teruaki Aoki , Takeshi Matsushita , Tadayoshi Mifune , Motoaki Abe
- 申请人地址： JA Tokyo
- 专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人： Sony Corporation
- 当前专利权人地址： JA Tokyo
- 优先权： JA50-48379 19750421
- 主分类号： H01L29/73
- IPC分类号： H01L29/73 ; H01L21/00 ; H01L21/265 ; H01L21/329 ; H01L21/331 ; H01L21/76 ; H01L23/29 ; H01L29/78 ; H01L21/26
摘要：
Silicon ions are implanted in a silicon dioxide layer on a silicon substrate so that the dioxide layer is converted into a semi-insulating layer having an improved passivation property.
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