公开(公告)号：US5323144A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：US635594

申请日：1991-01-31

申请人： Mitsuo Imai ,  Yasumasa Imai ,  Yasuo Suzuki ,  Teruaki Aoki

发明人： Mitsuo Imai ,  Yasumasa Imai ,  Yasuo Suzuki ,  Teruaki Aoki

IPC分类号： H04L12/40 ,  H04L29/14 ,  H04L1/00

CPC分类号： H04L12/40195 ,  H04L12/40 ,  H04L69/40

摘要： A duplexed bus type network in which a main transmission line and a stand-by transmission line are interconnected by a repeater (30), a changeover switch (40) or a two-way amplifier, a modem at each station is duplexed and connected to the main transmission line and the stand-by transmission line, and, upon trouble in one modem (11A), only the relevant station is switched over to the modem (21A) belonging to the stand-by transmission line. When the main transmission line is broken, all the stations are simultaneously switched over to the stand-by transmission line.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP90 / 00502 Sec。 371日期1991年1月31日 102（e）日1991年1月31日PCT 1990年4月18日PCT PCT。 WO90 / 13193 PCT出版物 日期：1990年11月1日。一种双工总线型网络，其中主传输线路和备用传输线路通过中继器（30），转换开关（40）或双向放大器互连，调制解调器 每个站被双工并连接到主传输线和备用传输线，并且在一个调制解调器（11A）中的故障中，只有相关站切换到属于备用传输的调制解调器（21A） 线。 当主传输线断开时，所有站都同时切换到备用传输线。

公开(公告)号：US4176372A

公开(公告)日：1979-11-27

申请号：US857284

申请日：1977-12-05

申请人： Takeshi Matsushita ,  Hisao Hayashi ,  Teruaki Aoki ,  Hisayoshi Yamoto ,  Yoshiyuki Kawana

发明人： Takeshi Matsushita ,  Hisao Hayashi ,  Teruaki Aoki ,  Hisayoshi Yamoto ,  Yoshiyuki Kawana

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L23/29 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/34

CPC分类号： H01L27/0641 ,  H01L21/314 ,  H01L23/298 ,  H01L27/0927 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  Y10S257/905

摘要： A polycrystalline layer is formed as a passivation layer on a monocrystalline semiconductor substrate, the polycrystalline layer containing oxygen in the range between 2 to 45 atomic percent. The density of surface states between the surface of said substrate and the polycrystalline silicon layer is less than 10.sup.10 /cm.sup.2 .multidot.eV at the middle portion of a forbidden band, and the interface density of fixed charge in the polycrystalline layer is less than 10.sup.10 /cm.sup.2.

摘要翻译： 在单晶半导体衬底上形成多晶层作为钝化层，所述多晶层含有2至45原子％范围内的氧。 所述基板的表面与多晶硅层之间的表面状态的密度在禁带的中间部分小于1010 / cm2×eV，多晶层中固定电荷的界面密度小于1010 / cm 2。

公开(公告)号：US4081292A

公开(公告)日：1978-03-28

申请号：US678417

申请日：1976-04-19

申请人： Teruaki Aoki ,  Takeshi Matsushita ,  Tadayoshi Mifune ,  Motoaki Abe

发明人： Teruaki Aoki ,  Takeshi Matsushita ,  Tadayoshi Mifune ,  Motoaki Abe

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L23/29 ,  H01L29/78 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/291 ,  H01L2924/0002

摘要： Silicon ions are implanted in a silicon dioxide layer on a silicon substrate so that the dioxide layer is converted into a semi-insulating layer having an improved passivation property.

摘要翻译： 将硅离子注入到硅衬底上的二氧化硅层中，使得二氧化层转化为具有改善的钝化性质的半绝缘层。

公开(公告)号：US4012762A

公开(公告)日：1977-03-15

申请号：US587153

申请日：1975-06-16

申请人： Motoaki Abe ,  Teruaki Aoki

发明人： Motoaki Abe ,  Teruaki Aoki

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/34

CPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/76 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/905

摘要： A Metal Insulator Semiconductor (MIS) field effect device has an oxygen-doped polycrystalline silicon layer on the field portion in order to prevent an unwanted parasitic inversion layer. The oxygen-doped polycrystalline silicon layer contains oxygen in the range of 2 to 40 atomic percent.

摘要翻译： 金属绝缘体半导体（MIS）场效应器件在场部分具有氧掺杂多晶硅层，以防止不期望的寄生反转层。 氧掺杂多晶硅层含有2至40原子％范围内的氧。

公开(公告)号：US4084986A

公开(公告)日：1978-04-18

申请号：US678061

申请日：1976-04-19

申请人： Teruaki Aoki ,  Takeshi Matsushita ,  Tadayoshi Mifune ,  Hisao Hayashi

发明人： Teruaki Aoki ,  Takeshi Matsushita ,  Tadayoshi Mifune ,  Hisao Hayashi

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/061 ,  Y10S148/085 ,  Y10S148/112 ,  Y10S148/114 ,  Y10S438/958

摘要： An oxygen or nitrogen ion beam is implanted into a polycrystalline silicon or in an amorphous silicon layer, or a single crystal device body or layer, on a semiconductor substrate to an extent sufficient to convert the polycrystalline silicon layer, the amorphous layer or the single crystal device body or layer into a semi-insulating layer having a resistivity of 10.sup.7 to 10.sup.11 ohm-cm, which has improved passivation property.

摘要翻译： 将氧或氮离子束注入到半导体衬底上的多晶硅或非晶硅层或单晶器件主体或层中，至足以转换多晶硅层，非晶层或单晶 器件本体或层变成具有107至1011欧姆 - 厘米电阻率的半绝缘层，其具有改善的钝化性能。

公开(公告)号：US4067100A

公开(公告)日：1978-01-10

申请号：US718339

申请日：1976-08-27

申请人： Akira Kojima ,  Teruaki Aoki ,  Norio Suzuki

发明人： Akira Kojima ,  Teruaki Aoki ,  Norio Suzuki

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/033 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  B01J17/00

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134

摘要： A method of making a semiconductor device which has sharp corners on an upper surface and wherein a passivation layer is formed over said surface and windows are formed in the passivation layer for the attaching and formation of electrodes in which a photoresist material is placed over the passivation layer and selectively removed so as to leave areas of photoresist at locations over said passivation layer wherein electrodes are to be formed after which a layer of metal is formed over the surface and the metal and photoresist is removed at those portions where the photoresist layer remained after which passivation the area is etched through the windows in the metal layer and the metal layer is then removed and the electrodes are formed in the windows.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，其在上表面上具有尖角，并且其中在所述表面上形成钝化层，并且在钝化层中形成窗口，用于附着和形成其中光致抗蚀剂材料放置在钝化层上的电极 并且选择性地去除，以便在所述钝化层上方的位置处留下光致抗蚀剂的区域，其中将形成电极，之后在该表面上形成金属层，并且在光致抗蚀剂层留下的那些部分去除金属和光致抗蚀剂 通过金属层中的窗口蚀刻该区域的钝化，然后去除金属层，并且在窗口中形成电极。

公开(公告)号：US08939479B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13821071

申请日：2011-09-30

申请人： Hotaka Ashiya ,  Kazumi Hisajima ,  Teruaki Aoki ,  Takuji Kugaya ,  Takahide Ishida ,  Kunji Nagae ,  Daisuke Oiki ,  Tarou Ikeda ,  Masaru Tsuruta ,  Yasuo Yotsunaga ,  Shunsuke Ehara ,  Norimasa Mizutani ,  Sylvain David ,  Nobuhiro Iwai

发明人： Hotaka Ashiya ,  Kazumi Hisajima ,  Teruaki Aoki ,  Takuji Kugaya ,  Takahide Ishida ,  Kunji Nagae ,  Daisuke Oiki ,  Tarou Ikeda ,  Masaru Tsuruta ,  Yasuo Yotsunaga ,  Shunsuke Ehara ,  Norimasa Mizutani ,  Sylvain David ,  Nobuhiro Iwai

IPC分类号： B60R19/18

CPC分类号： B60R19/18 ,  B60R2019/1873

摘要： A bumper absorber (9) has a squared U-shaped cross section formed of: a vertical face (11) extending in a top-bottom direction and a vehicle width direction, and a top face (12) and a bottom face (13) respectively extending rearward from a top end and a bottom end of the vertical face (11). The bumper absorber (9) is configured such that the top face (12) and the bottom face (13) thereof are supported by the bumper reinforcement (10) via multiple attachment members (23 to 27), and an interval between the attachment members adjacent to each other in the vehicle width direction is set to decrease from end portions (9b) in the vehicle width direction toward a central portion (9a) in the vehicle width direction.

摘要翻译： 保险杠吸收器（9）具有由下列方式形成的平坦的U形横截面：沿上下方向和车辆宽度方向延伸的垂直面（11），以及顶面（12）和底面（13）， 分别从垂直面（11）的顶端和底端向后延伸。 保险杠吸收器（9）构造成使得顶面（12）和底面（13）经由多个附接构件（23至27）由保险杠加强件（10）支撑，并且附接构件 在车宽方向上彼此相邻地设定为从车宽方向的端部（9b）向车宽方向的中央部（9a）减小。

公开(公告)号：US4001762A

公开(公告)日：1977-01-04

申请号：US582618

申请日：1975-06-02

申请人： Teruaki Aoki ,  Hisayoshi Yamoto ,  Masanori Okayama ,  Yoshimi Hirata ,  Shuichi Sato ,  Takaaki Yamada

发明人： Teruaki Aoki ,  Hisayoshi Yamoto ,  Masanori Okayama ,  Yoshimi Hirata ,  Shuichi Sato ,  Takaaki Yamada

IPC分类号： C01B33/02 ,  H01B1/04 ,  H01C7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/208 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01C1/012

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C7/006 ,  H01L29/00 ,  Y10S438/934

摘要： A thin film resistor is formed of polycrystalline silicon which contains 2 to 45 atomic percent of oxygen and wherein the resistivity of the polycrystalline silicon film varies as a function of the amount of oxygen contained in the film and wherein the resistivity is substantially higher than polycrystalline silicon not containing oxygen.

公开(公告)号：US4114254A

公开(公告)日：1978-09-19

申请号：US669326

申请日：1976-03-22

申请人： Teruaki Aoki ,  Motoaki Abe

发明人： Teruaki Aoki ,  Motoaki Abe

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/00 ,  H01L29/73 ,  B01J17/00

CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  H01L29/00 ,  Y10S257/905 ,  Y10S438/911 ,  Y10S438/945

摘要： A semiconductor device and method of making the same is disclosed having a surface passivation film of a polycrystalline silicon layer containing 2 to 45 atomic percent of oxygen atoms.The polycrystalline silicon layer is locally electrically insulated by oxidizing throughout the thickness of the layer.The local oxidizing treatment causes the polycrystalline or silicon layer to pattern.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法，其具有含有2至45原子％氧原子的多晶硅层的表面钝化膜。

公开(公告)号：US4063275A

公开(公告)日：1977-12-13

申请号：US624889

申请日：1975-10-22

申请人： Takeshi Matsushita ,  Hisao Hayashi ,  Teruaki Aoki ,  Hidenobu Mochizuki

发明人： Takeshi Matsushita ,  Hisao Hayashi ,  Teruaki Aoki ,  Hidenobu Mochizuki

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/861 ,  H01L29/04 ,  H01L23/30

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/314 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S257/905

摘要： A semiconductive device is provided which includes a single crystal substrate. A first insulating layer arranged on one surface of the substrate is of polycrystalline silicon containing oxygen. A second insulating layer formed on the first insulating layer is of polycrystalline silicon containing one of a group consisting of nitrogen, Si.sub.3 N.sub.4, Al.sub.2 O.sub.3 and silicone resin. The substrate includes at least one PN junction which extends to the said surface of the substrate. A novel method of making is also disclosed.

摘要翻译： 提供了包括单晶衬底的半导体器件。 布置在基板的一个表面上的第一绝缘层是含氧的多晶硅。 形成在第一绝缘层上的第二绝缘层是由氮，Si 3 N 4，Al 2 O 3和有机硅树脂组成的组中的一种的多晶硅。 衬底包括延伸到衬底的所述表面的至少一个PN结。 还公开了一种新颖的制造方法。