Thyristor with continuous recombination center shunt across planar emitter-base junction

发明授权

US4291329A Thyristor with continuous recombination center shunt across planar emitter-base junction 失效

标题翻译：具有连续复合中心的晶闸管分流在平面发射极 - 基极结上

专利标题： Thyristor with continuous recombination center shunt across planar emitter-base junction
专利标题（中）： 具有连续复合中心的晶闸管分流在平面发射极 - 基极结上
申请号： US71631

申请日： 1979-08-31
公开(公告)号： US4291329A

公开(公告)日： 1981-09-22
发明人: Maurice H. Hanes , Earl S. Schlegel
申请人： Maurice H. Hanes , Earl S. Schlegel
申请人地址： PA Pittsburgh
专利权人： Westinghouse Electric Corp.
当前专利权人： Westinghouse Electric Corp.
当前专利权人地址： PA Pittsburgh
主分类号： H01L21/263
IPC分类号： H01L21/263 ; H01L29/32 ; H01L29/74 ; H01L29/167

摘要：

A four-layer semiconductor thyristor including a planar recombination region extending on both sides of a planar cathode-emitter junction.

摘要（中）：

包括在平面阴极 - 发射极结两侧延伸的平面复合区的四层半导体晶闸管。

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）