发明授权
- 专利标题： Lead connecting structure for a semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件的引线连接结构
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申请号： US105964申请日： 1979-12-21
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公开(公告)号： US4340901A公开(公告)日： 1982-07-20
- 发明人: Shinzo Anazawa , Hideaki Kozu
- 申请人： Shinzo Anazawa , Hideaki Kozu
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Nippon Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人： Nippon Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX52-22962[U] 19770225
- 主分类号： H01L23/50
- IPC分类号： H01L23/50 ; H01L21/48 ; H01L23/057 ; H01L23/498 ; H01L23/66 ; H05K3/34 ; H01L23/48 ; H01L29/44 ; H01L29/52
摘要：
An improved brazing structure is disclosed in which at least a tip end portion to be brazed of a lead is bent and this tip end portion is bonded to a metallized layer by a brazing material substantially in perpendicular to the plane of the metallized layer.
公开/授权文献
- USD422103S Flashlight 公开/授权日：2000-03-28
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