发明授权
US4390889A Photodiode having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction
失效
具有具有相邻InGaAsP p-n结的InGaAs层的光电二极管
- 专利标题： Photodiode having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction
- 专利标题（中）： 具有具有相邻InGaAsP p-n结的InGaAs层的光电二极管
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申请号： US195333申请日： 1980-10-09
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公开(公告)号： US4390889A公开(公告)日： 1983-06-28
- 发明人: Federico Capasso , Albert L. Hutchinson , Ralph A. Logan
- 申请人： Federico Capasso , Albert L. Hutchinson , Ralph A. Logan
- 申请人地址： NJ Murray Hill
- 专利权人： Bell Telephone Laboratories, Incorporated
- 当前专利权人： Bell Telephone Laboratories, Incorporated
- 当前专利权人地址： NJ Murray Hill
- 主分类号： H01L31/10
- IPC分类号： H01L31/10 ; H01L31/109 ; H01L31/11 ; H01L29/90 ; H01L29/14 ; H01L29/161
摘要：
A photodetector useful between 1.0 and 1.6 microns and having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction disposed on the InGaAs layer is described.
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