发明授权
- 专利标题： Process of producing a semiconductor device
- 专利标题（中）： 制造半导体器件的工艺
-
申请号： US499477申请日： 1983-05-31
-
公开(公告)号： US4532022A公开(公告)日： 1985-07-30
- 发明人: Kanetake Takasaki , Mikio Takagi , Kenji Koyama
- 申请人： Kanetake Takasaki , Mikio Takagi , Kenji Koyama
- 申请人地址： JPX Kawasaki
- 专利权人： Fujitsu Limited
- 当前专利权人： Fujitsu Limited
- 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
- 主分类号： H01L21/318
- IPC分类号： H01L21/318 ; C23C16/30 ; G11C16/02 ; G11C17/00 ; H01L21/314 ; H01L21/56 ; H01L21/8247 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L29/51 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; C23C15/00
摘要：
A silicon nitride film containing from 20 to 70% oxygen, for use as a surface passivation film, has enhanced ultraviolet ray transmissivity while exhibiting the desirable moisture proofness quality of a silicon nitride film.
公开/授权文献
- US3959024A Slide valve 公开/授权日：1976-05-25
信息查询
IPC分类:
