发明授权
- 专利标题： Semiconductive photodetector device
- 专利标题（中）： 半导体光电探测器
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申请号： US505447申请日： 1983-06-17
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公开(公告)号： US4578693A公开(公告)日： 1986-03-25
- 发明人: Yoshiaki Yazawa , Nobuaki Miyakawa , Toji Mukai , Takahide Ikeda , Tatsuya Kamei
- 申请人： Yoshiaki Yazawa , Nobuaki Miyakawa , Toji Mukai , Takahide Ikeda , Tatsuya Kamei
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX57-104009 19820618
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L31/0216 ; H01L31/10 ; H01L27/14 ; H01L31/00
摘要：
In a semiconductive photodetector device having a semiconductor substrate and a plurality of photodiodes juxtaposed in one major surface of the semiconductor substrate, exposed edges of adjacent pn junctions of adjacent photodiodes are covered with a polysilicon film.
公开/授权文献
- US5725819A Injection molding method for board for IC card 公开/授权日：1998-03-10
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IPC分类:
