发明授权
- 专利标题： Method of depositing semiconductor films by free radical generation
- 专利标题（中）： 通过自由基生成沉积半导体膜的方法
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申请号： US725616申请日： 1985-04-22
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公开(公告)号： US4615905A公开(公告)日： 1986-10-07
- 发明人: Stanford R. Ovshinsky , David D. Allred , Lee Walter , Stephen J. Hudgens
- 申请人： Stanford R. Ovshinsky , David D. Allred , Lee Walter , Stephen J. Hudgens
- 申请人地址： MI Troy
- 专利权人： Sovonics Solar Systems, Inc.
- 当前专利权人： Sovonics Solar Systems, Inc.
- 当前专利权人地址： MI Troy
- 主分类号： C23C16/511
- IPC分类号： C23C16/511 ; H01J37/32 ; H01L21/205 ; C23C11/02
摘要：
A method of depositing a semiconductor alloy film onto a substrate by activating groups of free radicals and incorporating desired ones of the activated groups into the film.
公开/授权文献
- US5727659A Die cast disc brake with a vibration dampering flat spring 公开/授权日：1998-03-17
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