发明授权
- 专利标题： Process for etching via holes in alumina
- 专利标题（中）： 用于在氧化铝中蚀刻孔的方法
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申请号： US792409申请日： 1985-10-29
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公开(公告)号： US4619731A公开(公告)日： 1986-10-28
- 发明人: Daniel A. Buttry , Mohamad T. Krounbi , Owen R. Melroy
- 申请人： Daniel A. Buttry , Mohamad T. Krounbi , Owen R. Melroy
- 申请人地址： NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： NY Armonk
- 主分类号： C23F1/00
- IPC分类号： C23F1/00 ; C04B41/53 ; C04B41/91 ; H01L21/308 ; H01L21/311 ; H05K1/03 ; H05K3/00 ; H05K3/46 ; B44C1/22 ; C03C15/00 ; C03C25/06
摘要：
Via holes are etched in an alumina layer using an etchant bath of ethylenediaminetetraacetic acid at a pH above 9.
公开/授权文献
- US6096548A Method for directing evolution of a virus 公开/授权日：2000-08-01
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