发明授权
US4625224A Thin film transistor having polycrystalline silicon layer with 0.01 to 5
atomic % chlorine
失效
具有0.01〜5原子％氯的多晶硅层的薄膜晶体管
- 专利标题： Thin film transistor having polycrystalline silicon layer with 0.01 to 5 atomic % chlorine
- 专利标题（中）： 具有0.01〜5原子％氯的多晶硅层的薄膜晶体管
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申请号： US456717申请日： 1983-01-10
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公开(公告)号： US4625224A公开(公告)日： 1986-11-25
- 发明人: Katsumi Nakagawa , Toshiyuki Komatsu , Yoshiyuki Osada , Satoshi Omata , Yutaka Hirai , Takashi Nakagiri
- 申请人： Katsumi Nakagawa , Toshiyuki Komatsu , Yoshiyuki Osada , Satoshi Omata , Yutaka Hirai , Takashi Nakagiri
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX57-7162 19820119
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; G02F1/136 ; G02F1/1368 ; G09F9/30 ; G09F9/35 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L27/12 ; H01L29/04 ; H01L29/786 ; H01L49/02
摘要：
A semiconductor element having a main part of a polycrystalline silicon semiconductor layer containing 0.01 to 5 atomic % of chlorine atoms.
公开/授权文献
- US5610726A Image processing system 公开/授权日：1997-03-11
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