发明授权
- 专利标题： Semiconductor manufacturing method and device
- 专利标题（中）： 半导体制造方法及装置
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申请号： US895028申请日： 1986-08-08
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公开(公告)号： US4826711A公开(公告)日： 1989-05-02
- 发明人: Shunpei Yamazaki , Kunio Suzuki , Susumu Nagayama
- 申请人： Shunpei Yamazaki , Kunio Suzuki , Susumu Nagayama
- 申请人地址： JPX Kanagawa
- 专利权人： Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
- 当前专利权人： Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Kanagawa
- 优先权： JPX60-175194 19850808
- 主分类号： H01L31/04
- IPC分类号： H01L31/04 ; C23C16/24 ; C23C16/52 ; C23C16/56 ; H01L21/205 ; H01L21/324 ; C23C16/00
摘要：
An improved semiconductor processing is disclosed. In the manufacturing process, fluorine gas is introduced just after formation of semiconductor layer in a reaction. The semiconductor thus formed demonstrates SEL effect in place of Staebler-Wronski effect.
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