发明授权
- 专利标题： Semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 半导体存储器件
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申请号： US360490申请日： 1989-06-02
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公开(公告)号： US5101377A公开(公告)日： 1992-03-31
- 发明人: Toshio Yamada
- 申请人： Toshio Yamada
- 申请人地址： JPX Osaka
- 专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Osaka
- 优先权： JPX63-139982 19880607
- 主分类号： G11C11/41
- IPC分类号： G11C11/41 ; G11C5/02 ; G11C11/401 ; G11C11/408 ; G11C11/4097 ; H01L21/8242 ; H01L27/10 ; H01L27/108
摘要：
The device has an architecture for improving the degree of integration by an amount corresponding to the reduction rate of memory cells, in which a plurality of memory cells are formed above or below each of a plurality of sense amplifiers.
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