Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

发明授权

US5326718A Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor 失效

标题翻译：用于制造衬底上的横向受限的单晶区域的方法及其用于制造MOS晶体管和双极晶体管的方法

专利标题： Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor
专利标题（中）： 用于制造衬底上的横向受限的单晶区域的方法及其用于制造MOS晶体管和双极晶体管的方法
申请号： US950068

申请日： 1992-09-23
公开(公告)号： US5326718A

公开(公告)日： 1994-07-05
发明人: Helmut Klose , Thomas Meister , Hans-Willi Meul , Reinhard Stengl
申请人： Helmut Klose , Thomas Meister , Hans-Willi Meul , Reinhard Stengl
申请人地址： DEX Munich
专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
当前专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
当前专利权人地址： DEX Munich
优先权： DEX4131619 19910923
主分类号： H01L21/76
IPC分类号： H01L21/76 ; H01L21/20 ; H01L21/331 ; H01L21/336 ; H01L29/73 ; H01L29/732 ; H01L29/78

摘要：

A method for the manufacture of a laterally limited single crystal region that is suitable for use as an active part of a transistor.

摘要（中）：

一种用于制造适合用作晶体管的有源部分的横向受限的单晶区域的方法。

公开/授权文献

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/76	...组件间隔离区的制作