发明授权
US5362684A Non-monocrystalline silicon carbide semiconductor, process of production
thereof, and semiconductor device employing the same
失效
非单晶碳化硅半导体，其制造方法以及采用该半导体器件的半导体器件
- 专利标题： Non-monocrystalline silicon carbide semiconductor, process of production thereof, and semiconductor device employing the same
- 专利标题（中）： 非单晶碳化硅半导体，其制造方法以及采用该半导体器件的半导体器件
-
申请号： US840537申请日： 1992-02-25
-
公开(公告)号： US5362684A公开(公告)日： 1994-11-08
- 发明人: Keishi Saito , Tatsuyuki Aoike , Toshimitsu Kariya , Yuzo Koda
- 申请人： Keishi Saito , Tatsuyuki Aoike , Toshimitsu Kariya , Yuzo Koda
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX3-050133 19910225
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L29/78 ; H01L29/786 ; H01L31/04 ; H01L31/08 ; H01L31/10 ; H01L31/20
摘要：
A non-monocrystalline silicon carbide semiconductor comprises carbon atoms, silicon atoms, and at least one of hydrogen atoms and halogen atoms, the non-monocrystalline silicon carbide semiconductor having therein microvoids with an average radius of not more than 3.5.ANG. at a microvoid density of not more than 1.times.10.sup.19 cm.sup.-3.
公开/授权文献
- US5855082A Switch guard for an iron 公开/授权日：1999-01-05
信息查询
IPC分类:
