High-withstand-voltage integrated circuit

发明授权

US5399916A High-withstand-voltage integrated circuit 失效

标题翻译：高耐压集成电路

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专利标题： High-withstand-voltage integrated circuit
专利标题（中）： 高耐压集成电路
申请号： US978270

申请日： 1992-11-18
公开(公告)号： US5399916A

公开(公告)日： 1995-03-21
发明人: Tatsuhiko Fujihira , Masaharu Nishiura
申请人： Tatsuhiko Fujihira , Masaharu Nishiura
申请人地址： JPX Kawasaki
专利权人： Fuji Electric Co., Ltd.
当前专利权人： Fuji Electric Co., Ltd.
当前专利权人地址： JPX Kawasaki
优先权： JPX3-315688 19911129
主分类号： H01L21/822
IPC分类号： H01L21/822 ; H01L27/02 ; H01L27/04 ; H01L27/088 ; H03K3/01

摘要：

In a high-withstand-voltage integrated circuit, several circuits are included at different potentials. Each circuit of a different potential has a power source, and interface circuits mediate signals between the circuits of different potentials. By this design, the required number of high-withstand-voltage elements is reduced, and a low-cost, high-withstand-voltage IC with high integration density, surge tolerance and stability is obtained.

摘要（中）：

在高耐压集成电路中，包含不同电位的几个电路。不同电位的每个电路具有电源，并且接口电路在不同电位的电路之间调停信号。通过这种设计，可以减少所需数量的高耐压元件，并且获得具有高集成密度，浪涌耐受性和稳定性的低成本，高耐压IC。

公开/授权文献

US5811351A Semiconductor device and method of manufacturing the same 公开/授权日：1998-09-22

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）