发明授权
- 专利标题： Synapse MOS transistor
- 专利标题（中）： 突触MOS晶体管
-
申请号： US253215申请日： 1994-06-02
-
公开(公告)号： US5442209A公开(公告)日： 1995-08-15
- 发明人: Ho-sun Chung
- 申请人： Ho-sun Chung
- 申请人地址： KRX Cheongju-city
- 专利权人： Gold Star Electron Co., Ltd.
- 当前专利权人： Gold Star Electron Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KRX Cheongju-city
- 优先权： KRX92-9479 19920530
- 主分类号： G06N3/063
- IPC分类号： G06N3/063 ; H01L29/78 ; H01L29/80
摘要：
A synapse MOS transistor has gate electrodes of different lengths, different widths or different lengths and widths, between one source region and one drain region. Thus, when using the synapse MOS transistor to implement a neural network, the chip area can be greatly reduced.
公开/授权文献
- US4902843A Process for producing M-xylene from O-xylene 公开/授权日：1990-02-20
信息查询
