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发明授权
US5525551A Method for forming insulating film in semiconductor device using a TEOS or HMDS pre-treatment 失效
使用TEOS或HMDS预处理在半导体器件中形成绝缘膜的方法

  • 专利标题： Method for forming insulating film in semiconductor device using a TEOS or HMDS pre-treatment
  • 专利标题（中）： 使用TEOS或HMDS预处理在半导体器件中形成绝缘膜的方法
  • 申请号： US255727
    申请日： 1994-06-07
  • 公开(公告)号： US5525551A
    公开(公告)日： 1996-06-11
  • 发明人: Hiroyuki Ohta
  • 申请人： Hiroyuki Ohta
  • 申请人地址： JPX Kawasaki
  • 专利权人： Fujitsu Limited
  • 当前专利权人： Fujitsu Limited
  • 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
  • 优先权： JPX5-233800 19930920
  • 主分类号： H01L21/316
  • IPC分类号： H01L21/316 ;  H01L21/318 ;  H01L21/205
Method for forming insulating film in semiconductor device using a TEOS or HMDS pre-treatment
摘要：
The present invention relates to a method for forming a silicon oxide film on a substrate by the thermal chemical vapor deposition method (thermal CVD method) using a gas mixture of ozone (O.sub.3) and tetraethoxyorthosilicate (TEOS). It is an object of the present invention to provide a method for forming an insulating film in a semiconductor device, in which anomalous deposition of the film at a step portion (a portion of difference in level) is prevented and the film contains less moisture and less organic matter and is superior in smoothness. The present invention includes the steps of exposing the depositing surface of the substrate 14 to tetraethoxyorthosilicate in the absence of oxygen and ozone at the elevated temperature and forming an oxide film 15 on the substrate 14 by the thermal CVD method using a gas mixture of ozone (O.sub.3) and tetraethoxyorthosilicate at a deposition temperature. In a second embodiment HMDS is substituted for TEOS in the pretreatment step.
摘要（中）：

本发明涉及使用臭氧（O3）和原硅酸四乙酯（TEOS）的气体混合物的热化学气相沉积法（热CVD法）在基板上形成氧化硅膜的方法。 本发明的目的是提供一种在半导体器件中形成绝缘膜的方法，其中防止了膜在步骤部分处的异常沉积（水平差异的一部分），并且膜含有较少的水分和 有机质少，平滑度优越。 本发明包括以下步骤：在升高的温度下，在不存在氧和臭氧的情况下将基材14的沉积表面暴露于原硅酸四乙酯，并且通过使用臭氧气体混合物的热CVD方法在基板14上形成氧化膜15 O3）和原硅酸四乙酯。 在第二实施方案中，HMDS在预处理步骤中代替TEOS。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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