发明授权
- 专利标题： Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination
- 专利标题（中）： 减少化学机械抛光颗粒污染
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申请号： US477699申请日： 1995-06-07
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公开(公告)号： US5702563A公开(公告)日： 1997-12-30
- 发明人: Isidore Salugsugan , Diana M. Schonauer
- 申请人： Isidore Salugsugan , Diana M. Schonauer
- 申请人地址： CA Sunnyvale
- 专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： CA Sunnyvale
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; H01L21/3105 ; H01L21/321
摘要：
Particulate contamination of a semiconductor wafer subjected to chemical-mechanical polishing is reduced by applying a high pressure water spray to the polishing pad during conditioning.
公开/授权文献
- US4970123A Isotropically reinforced net-shape microcomposites 公开/授权日：1990-11-13
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IPC分类:
