发明授权
US5773317A Test structure and method for determining metal-oxide-silicon field
effect transistor fringing capacitance
失效
用于确定金属氧化物 - 硅场效应晶体管边缘电容的测试结构和方法
- 专利标题： Test structure and method for determining metal-oxide-silicon field effect transistor fringing capacitance
- 专利标题（中）： 用于确定金属氧化物 - 硅场效应晶体管边缘电容的测试结构和方法
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申请号： US572944申请日： 1995-12-15
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公开(公告)号： US5773317A公开(公告)日： 1998-06-30
- 发明人: Koucheng Wu , Yu-Pin Han , Ying-Tsong Loh
- 申请人： Koucheng Wu , Yu-Pin Han , Ying-Tsong Loh
- 申请人地址： CA San Jose
- 专利权人： VLSI Technology Inc.
- 当前专利权人： VLSI Technology Inc.
- 当前专利权人地址： CA San Jose
- 主分类号： H01L23/544
- IPC分类号： H01L23/544 ; H01L21/66
摘要：
The use of a test chip having a wide channel MOSFETs of different channel widths and effective gate lengths allows for an experimental determination of the fringe capacitance per unit width. The use of channel widths greater than 100 microns increases the accuracy of the measured capacitance values.
公开/授权文献
- US5072430A Compliance meter for clinical evaluation of drugs 公开/授权日：1991-12-10
信息查询
IPC分类:
