T-gate MESFET process using dielectric film lift-off technique

Invention Grant

US5940697A T-gate MESFET process using dielectric film lift-off technique 失效

Title translation: 使用介质膜剥离技术的T栅极MESFET工艺

Patent Title: T-gate MESFET process using dielectric film lift-off technique
Patent Title (中): 使用介质膜剥离技术的T栅极MESFET工艺
Application No.: US941126

Application Date: 1997-09-30
Publication No.: US5940697A

Publication Date: 1999-08-17
Inventor: Hyung Mo Yoo , Xuan Nguyen
Applicant: Hyung Mo Yoo , Xuan Nguyen
Applicant Address: KRX Seoul
Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.
Current Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.
Current Assignee Address: KRX Seoul
Main IPC: H01L21/033
IPC: H01L21/033 ; H01L21/285 ; H01L21/338

Abstract:

An improved method for forming a T-gate structure in a MESFET includes dielectric lift-off steps.

Abstract(Chinese):

用于在MESFET中形成T栅极结构的改进方法包括介电剥离步骤。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033	...包括无机层的