发明授权
- 专利标题： Use of deuterated materials in semiconductor processing
- 专利标题（中）： 氘代材料在半导体加工中的应用
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申请号： US895049申请日： 1997-07-16
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公开(公告)号： US5972765A公开(公告)日： 1999-10-26
- 发明人: William F. Clark , Thomas G. Ference , Terence B. Hook , Dale W. Martin
- 申请人： William F. Clark , Thomas G. Ference , Terence B. Hook , Dale W. Martin
- 申请人地址： NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： NY Armonk
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L21/285 ; H01L21/30 ; H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/324 ; H01L21/336
摘要：
Method of forming a film for a semiconductor device in which a source material comprising a deuterated species is provided during formation of the film.
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