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US06008099A Fabrication process employing a single dopant implant for formation of a drain extension region and a drain region of an LDD MOSFET using enhanced lateral diffusion 失效
使用单个掺杂剂注入的制造工艺，用于使用增强的横向扩散来形成LDD MOSFET的漏极延伸区域和漏极区域

  • 专利标题： Fabrication process employing a single dopant implant for formation of a drain extension region and a drain region of an LDD MOSFET using enhanced lateral diffusion
  • 专利标题（中）： 使用单个掺杂剂注入的制造工艺，用于使用增强的横向扩散来形成LDD MOSFET的漏极延伸区域和漏极区域
  • 申请号： US50689
    申请日： 1998-03-30
  • 公开(公告)号： US06008099A
    公开(公告)日： 1999-12-28
  • 发明人: Akif Sultan , Dong-Hyuk Ju
  • 申请人： Akif Sultan , Dong-Hyuk Ju
  • 申请人地址： CA Sunnyvale
  • 专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
  • 当前专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
  • 当前专利权人地址： CA Sunnyvale
  • 主分类号： H01L21/265
  • IPC分类号： H01L21/265 ;  H01L21/336
Fabrication process employing a single dopant implant for formation of a drain extension region and a drain region of an LDD MOSFET using enhanced lateral diffusion
摘要：
A method of making a lightly doped drain transistor includes the steps of forming a gate electrode (52) and a gate oxide (54) over a semiconductor substrate (56) and forming a drain (70) in a drain region (58) and a source (72) in a source region (60) of the substrate (56). The method further includes generating interstitials (62) near a lateral edge of at least one of the drain (70) and the source (72) and thermally treating the substrate (56). The thermal treatment cause the interstitials (62) to enhance a lateral diffusion (84) of the drain (70) under the gate oxide (54) without substantially impacting a vertical diffusion (82) of the drain (70) or the source (72). The enhanced lateral diffusion (84) results in the formation of at least one of a lightly doped drain extension region (75) and a lightly doped source extension region (76) without an increase in a junction depth of the drain (70) or the source (72). The step of generating interstitials (62) may include the step of implanting at least one of the drain region (58) and the source region (60) of the substrate (56) with a large tilt angle implant which creates the interstitials (62) at a location near the gate oxide (54).
摘要（中）：

一种制造轻掺杂漏极晶体管的方法包括以下步骤：在半导体衬底（56）上形成栅电极（52）和栅极氧化物（54），并在漏区（58）中形成漏极（70） 源极（72）在衬底（56）的源极区（60）中。 所述方法还包括在所述排水口（70）和所述源（72）中的至少一个的侧边缘附近产生间隙（62）并热处理所述衬底（56）。 热处理使间隙（62）增强栅极氧化物（54）下面的漏极（70）的横向扩散（84），而基本上不影响漏极（70）或源极（72）的垂直扩散（82） ）。 增强的横向扩散（84）导致轻掺杂漏极延伸区域（75）和轻掺杂源极延伸区域（76）中的至少一个的形成，而不会增加漏极（70）或 来源（72）。 产生间隙（62）的步骤可以包括用产生间隙（62）的大倾斜角植入物植入衬底（56）的漏区（58）和源区（60）中的至少一个的步骤， 在栅极氧化物（54）附近。

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