发明授权
US6065346A Measurement system utilizing a sensor formed on a silicon on insulator
structure
有权
利用形成在绝缘体上硅结构上的传感器的测量系统
- 专利标题： Measurement system utilizing a sensor formed on a silicon on insulator structure
- 专利标题（中）： 利用形成在绝缘体上硅结构上的传感器的测量系统
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申请号： US277903申请日： 1999-03-29
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公开(公告)号： US6065346A公开(公告)日： 2000-05-23
- 发明人: Kevin D. Voegele , Thomas G. Stratton , Russell L. Johnson
- 申请人： Kevin D. Voegele , Thomas G. Stratton , Russell L. Johnson
- 申请人地址： MN Minneapolis
- 专利权人： Honeywell Inc.
- 当前专利权人： Honeywell Inc.
- 当前专利权人地址： MN Minneapolis
- 主分类号： G01L9/00
- IPC分类号： G01L9/00 ; G01D3/028 ; G01D18/00 ; G01D21/00 ; G01L1/22 ; G01L9/02 ; G01L9/04 ; G01L9/12 ; G01L9/16
摘要：
A measurement system utilizes a sensor formed in a semiconductor on insulator structure that has an offset related to the time that power is applied. A controller applies power, obtains readings and removes power so as to minimize any effect of the offset.
公开/授权文献
- US5571324A Rotary-cup coating apparatus 公开/授权日：1996-11-05
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