发明授权
- 专利标题： Semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 半导体存储器件
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申请号： US222799申请日： 1998-12-30
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公开(公告)号： US6081443A公开(公告)日： 2000-06-27
- 发明人: Fukashi Morishita , Shigeki Tomishima , Kazutani Arimoto
- 申请人： Fukashi Morishita , Shigeki Tomishima , Kazutani Arimoto
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX8-045864 19960304
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76 ; G11C11/401 ; G11C11/404 ; G11C11/406 ; G11C11/407 ; G11C11/4074 ; G11C11/408 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; G11C11/24
摘要：
In a dynamic random access memory, at a time of body-refresh operation, a bit-line potential VBL is set to a body-refresh-potential VBR, and the body-refresh-potential VBR is supplied to bit-line pairs via a bit-line precharging/equalizing circuit 111c, thereby the charge accumulated in the body of the n channel MOS transistor 72cb in a memory cell is drained to the bit-line pairs.
公开/授权文献
- US5605810A NADH oxidase assay for neoplasia determination 公开/授权日：1997-02-25
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IPC分类:
