发明授权
- 专利标题： Method of fabricating a dynamic random access memory device
- 专利标题（中）： 制造动态随机存取存储器件的方法
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申请号： US967申请日： 1997-12-30
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公开(公告)号： US6146940A公开(公告)日： 2000-11-14
- 发明人: Gary Hong
- 申请人： Gary Hong
- 申请人地址： TWX
- 专利权人： United Microelectronics Corp.
- 当前专利权人： United Microelectronics Corp.
- 当前专利权人地址： TWX
- 优先权： TWX86118758 19971212
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/316 ; H01L21/768 ; H01L21/8242 ; H01L21/368
摘要：
A method of fabricating a dynamic random access memory is disclosed, which mainly utilizing selective liquid-phase deposition process to form an insulation layer on the gate electrode structure.
公开/授权文献
- USD351019S Shower base 公开/授权日：1994-09-27
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IPC分类:
