Selective removal of etching residues

发明授权

US6150282A Selective removal of etching residues 失效

标题翻译：选择性去除蚀刻残留物

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专利标题： Selective removal of etching residues
专利标题（中）： 选择性去除蚀刻残留物
申请号： US969593

申请日： 1997-11-13
公开(公告)号： US6150282A

公开(公告)日： 2000-11-21
发明人: David L. Rath , Rangarajan Jagannathan , Kenneth J. McCullough , Harald F. Okorn-Schmidt , Karen P. Madden , Keith R. Pope
申请人： David L. Rath , Rangarajan Jagannathan , Kenneth J. McCullough , Harald F. Okorn-Schmidt , Karen P. Madden , Keith R. Pope
申请人地址： NY Armonk
专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人地址： NY Armonk
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; H01L21/768 ; H01L21/302

摘要：

Etching residue is selectively removed employing a substantially non-aqueous composition containing a fluoride containing compound and certain organic solvents. Preferred compositions also include an anhydride.

摘要（中）：

使用含有含氟化合物和某些有机溶剂的基本上非水性组合物选择性地除去蚀刻残渣。优选的组合物还包括酸酐。

公开/授权文献

US5449889A Apparatus, system and method for dielectrically heating a medium using microwave energy 公开/授权日：1995-09-12

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）