发明授权
- 专利标题： Semiconductor structure
- 专利标题（中）： 半导体结构
-
申请号： US09651684申请日： 2000-08-30
-
公开(公告)号： US06417082B1公开(公告)日： 2002-07-09
- 发明人: Yider Wu , Jean Yang , Hidehiko Shiraiwa , Mark E. Ramsbey
- 申请人： Yider Wu , Jean Yang , Hidehiko Shiraiwa , Mark E. Ramsbey
- 主分类号： H01L21425
- IPC分类号： H01L21425
摘要：
A process for making a semiconductor structure comprises implanting nitrogen through a layer comprising SiO2 into a substrate comprising Si, wherein the layer is on the substrate, and wherein the layer is from about 30 Å to about 300 Å thick.
信息查询
