公开(公告)号：US06417082B1

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：US09651684

申请日：2000-08-30

申请人： Yider Wu ,  Jean Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Mark E. Ramsbey

发明人： Yider Wu ,  Jean Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Mark E. Ramsbey

IPC分类号： H01L21425

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586

摘要： A process for making a semiconductor structure comprises implanting nitrogen through a layer comprising SiO2 into a substrate comprising Si, wherein the layer is on the substrate, and wherein the layer is from about 30 Å to about 300 Å thick.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括将氮通过包含SiO 2的层注入到包含Si的衬底中，其中该层在衬底上，并且其中该层为约30埃至约300埃。