发明授权
- 专利标题： Microelectronic piezoelectric structure and method of forming the same
- 专利标题（中）： 微电子压电结构及其形成方法
-
申请号： US09624527申请日： 2000-07-24
-
公开(公告)号： US06432546B1公开(公告)日： 2002-08-13
- 发明人: Ramoothy Ramesh , Yu Wang , Jeffrey M. Finder , Kurt Eisenbeiser , Zhiyi Yu , Ravindranath Droopad
- 申请人： Ramoothy Ramesh , Yu Wang , Jeffrey M. Finder , Kurt Eisenbeiser , Zhiyi Yu , Ravindranath Droopad
- 主分类号： B32B900
- IPC分类号： B32B900
摘要：
A high quality epitaxial layer of monocrystalline Pb(Zr,Ti)O3 can be grown overlying large silicon wafers by first growing an strontium titanate layer on a silicon wafer. The strontium titanate layer is a monocrystalline layer spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide.
信息查询
