公开(公告)号：US06432546B1

公开(公告)日：2002-08-13

申请号：US09624527

申请日：2000-07-24

申请人： Ramoothy Ramesh ,  Yu Wang ,  Jeffrey M. Finder ,  Kurt Eisenbeiser ,  Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad

发明人： Ramoothy Ramesh ,  Yu Wang ,  Jeffrey M. Finder ,  Kurt Eisenbeiser ,  Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad

IPC分类号： B32B900

CPC分类号： B32B9/00 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/319

摘要： A high quality epitaxial layer of monocrystalline Pb(Zr,Ti)O3 can be grown overlying large silicon wafers by first growing an strontium titanate layer on a silicon wafer. The strontium titanate layer is a monocrystalline layer spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide.

摘要翻译： 通过首先在硅晶片上生长钛酸锶层，可以将大量的单晶Pb（Zr，Ti）O 3的高品质外延层生长在大的硅晶片上。 钛酸锶层是通过硅氧化物的非晶界面层与硅晶片隔开的单晶层。

公开(公告)号：US06750067B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10126772

申请日：2002-04-19

申请人： Ramoothy Ramesh ,  Yu Wang ,  Jeffrey M. Finder ,  Kurt Eisenbeiser ,  Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad

发明人： Ramoothy Ramesh ,  Yu Wang ,  Jeffrey M. Finder ,  Kurt Eisenbeiser ,  Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： B32B9/00 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/319

摘要： A high quality epitaxial layer of monocrystalline Pb(Zr,Ti)O3 can be grown overlying large silicon wafers by first growing an strontium titanate layer on a silicon wafer. The strontium titanate layer is a monocrystalline layer spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide.

摘要翻译： 通过首先在硅晶片上生长钛酸锶层，可以将大量的单晶Pb（Zr，Ti）O 3的高品质外延层生长在大的硅晶片上。 钛酸锶层是通过硅氧化物的非晶界面层与硅晶片隔开的单晶层。