发明授权
US06503763B2 Method of making MFMOS capacitors with high dielectric constant materials
失效
制造高介电常数材料的MFMOS电容器的方法
- 专利标题： Method of making MFMOS capacitors with high dielectric constant materials
- 专利标题（中）： 制造高介电常数材料的MFMOS电容器的方法
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申请号： US09819879申请日： 2001-03-27
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公开(公告)号： US06503763B2公开(公告)日： 2003-01-07
- 发明人: Tingkai Li , Sheng Teng Hsu , Hong Ying , Bruce D. Ulrich , Yanjun Ma
- 申请人： Tingkai Li , Sheng Teng Hsu , Hong Ying , Bruce D. Ulrich , Yanjun Ma
- 主分类号： H01L2100
- IPC分类号： H01L2100
摘要：
A MFMOS one transistor memory structure for ferroelectric non-volatile memory devices includes a high dielectric constant material such as ZrO2, HfO2, Y2O3, or La2O3, or the like, or mixtures thereof, to reduce the operation voltage and to increase the memory window and reliability of the device.
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