Etch process for recessing polysilicon in trench structures

发明授权

US06740595B2 Etch process for recessing polysilicon in trench structures 有权

标题翻译：用于在沟槽结构中凹陷多晶硅的蚀刻工艺

专利标题： Etch process for recessing polysilicon in trench structures
专利标题（中）： 用于在沟槽结构中凹陷多晶硅的蚀刻工艺
申请号： US10122996

申请日： 2002-04-12
公开(公告)号： US06740595B2

公开(公告)日： 2004-05-25
发明人: Stephan Kudelka , Helmut Tews , Alexander Michaelis , Uwe Schroeder , Martin Popp , Kristin Schupke , Daniel Koehler
申请人： Stephan Kudelka , Helmut Tews , Alexander Michaelis , Uwe Schroeder , Martin Popp , Kristin Schupke , Daniel Koehler
主分类号： H01L21311
IPC分类号： H01L21311

摘要：

A method for eching a recess in a polysilicon region of a semiconductor device by applying a solution of NH4OH in water to the polysilicon.

摘要（中）：

一种通过将NH 4 OH溶液施加到多晶硅中来捕获半导体器件的多晶硅区域中的凹陷的方法。

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