发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US09664555申请日： 2000-09-18
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公开(公告)号： US06774449B1公开(公告)日： 2004-08-10
- 发明人: Katsunori Nishii , Yoshito Ikeda , Hiroyuki Masato , Kaoru Inoue
- 申请人： Katsunori Nishii , Yoshito Ikeda , Hiroyuki Masato , Kaoru Inoue
- 优先权： JP11-262134 19990916
- 主分类号： H01L3100
- IPC分类号： H01L3100
摘要：
The semiconductor device of the present invention includes: a gallium nitride (GaN) compound semiconductor layer; and a Schottky electrode formed on the GaN compound semiconductor layer, wherein the Schottky electrode contains silicon.
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