Asymmetric InGaAsN vertical cavity surface emitting lasers

发明授权

US06813295B2 Asymmetric InGaAsN vertical cavity surface emitting lasers 失效

标题翻译：不对称InGaAsN垂直腔表面发射激光器

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专利标题： Asymmetric InGaAsN vertical cavity surface emitting lasers
专利标题（中）： 不对称InGaAsN垂直腔表面发射激光器
申请号： US10106678

申请日： 2002-03-25
公开(公告)号： US06813295B2

公开(公告)日： 2004-11-02
发明人: Tetsuya Takeuchi , Ying-Lan Chang , David P. Bour , Michael H. Leary , Michael R. T. Tan
申请人： Tetsuya Takeuchi , Ying-Lan Chang , David P. Bour , Michael H. Leary , Michael R. T. Tan
主分类号： H01S500
IPC分类号： H01S500

Asymmetric InGaAsN vertical cavity surface emitting lasers

摘要：

Various asymmetric InGaAsN VCSEL structures that are made using an MOCVD process are presented. Use of the asymmetric structure effectively eliminates aluminum contamination of the quantum well active region.

摘要（中）：

提出了使用MOCVD工艺制造的各种非对称InGaAsN VCSEL结构。使用不对称结构有效地消除了量子阱活性区域的铝污染。

公开/授权文献

US20030179801A1 Asymmetric InGaAsN vertical cavity surface emitting lasers 公开/授权日：2003-09-25

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