发明授权
- 专利标题： Power MOSFET with ultra-deep base and reduced on resistance
- 专利标题（中）： 功率MOSFET具有超深基极和降低导通电阻
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申请号： US10644306申请日： 2003-08-20
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公开(公告)号： US06846706B2公开(公告)日： 2005-01-25
- 发明人: Kyle Spring , Jianjun Cao
- 申请人： Kyle Spring , Jianjun Cao
- 申请人地址： US CA El Segundo
- 专利权人： International Rectifier Corporation
- 当前专利权人： International Rectifier Corporation
- 当前专利权人地址： US CA El Segundo
- 代理机构： Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/49 ; H01L29/78 ; H01L21/332
摘要：
A MOS-gated semiconductor device is shown and described which includes deep implanted junctions and thick oxide spacers disposed over a substantial portion of common conduction regions.
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